抑制器是離子色譜的關(guān)鍵部件之一，化學抑制型電導檢測法中，抑制反應(yīng)是構(gòu)成離子色譜的高靈敏度和選擇性的重要因素，也是選擇分離柱和淋洗液時必需考慮的主要因素。不同抑制器類型的介紹：
1.樹脂填充式抑制器
R—H++Na+OH-→R—Na+＋H2O
R—H++Mn+An-→R—Mn+＋HnA
R代表離子交換樹脂的固定相，OH-為淋洗離子，A-為待測陰離子，Mn+為樣品中配對的陽離子。
2.旋轉(zhuǎn)式填充床型抑制器
旋轉(zhuǎn)式填床型抑制系統(tǒng)有三個等效的抑制柱；一個柱工作時，另一個柱再生，第三個柱用超純水沖洗。分析完畢后，旋轉(zhuǎn)120oC，剛沖洗過的柱用于抑制，分析后的柱進行再生，再生后的柱用超純水沖洗，依次重復，這樣就變成可以連續(xù)工作。
解決了連續(xù)分析的抑制問題，但由于單根柱子的抑制容量低（因為受死體積的限制而無法增加填料以提高交換容量），每一支柱的實際使用時間不長，無法同高容量分析柱配合使用，梯度兼容性有限（不能長時間用于梯度分析，而且梯度重復性差），須使用外加硫酸再生和加水平衡。
3.抑制膠抑制器
在原來單根樹脂填充式抑制器的結(jié)構(gòu)上，提出可拋棄式抑制柱的組合方式，在操作過程中，只需更換抑制樹脂，無需再生抑制柱。
采用這種方式，由于抑制膠無需再生，即使樣品對抑制器產(chǎn)生了污染，下一個更換的抑制膠仍保持狀態(tài)，適合對抑制器會造成嚴重污染樣品的分析。
抑制膠有陰陽二種形式可供選擇。
4.離子交換纖維管抑制器和薄膜抑制器
離子交換樹脂填充柱抑制器的局限在于，再生離子是鍵合在容量有限的固定相上。而且樹脂必須間歇再生，為了克服上述缺點，一種再生離子由化學試劑連續(xù)提供的離子交換纖維管或薄膜抑制器被研制和使用。
5.電遷移式電化學抑制器
抑制器由三個室組成，以陰離子分析為例，兩張陽離子交換膜2，2’夾層間組成抑制室1,兩張陽離子交換膜的另一側(cè)與柱殼體分別組成陽極室5和陰極室6，陰陽極室內(nèi)置有電極3,4和電解液。
來自分離柱的淋洗液帶著被測離子從抑制室流過進入電導檢測池。在電場作用下，電極上發(fā)生了下列電化學反應(yīng)：
陽極：H2O=½O2↑+2H++2e-
陰極：H2O＝H2↑＋2OH-
電解池反應(yīng)：H2O=H2↑＋½O2↑
6.自循環(huán)再生電化學薄膜抑制器
7.陰、陽離子雙功能電化學抑制器
8.鹽轉(zhuǎn)換器
新型的鹽轉(zhuǎn)換器—陽離子自動再生抑制器（SC-CSRS）在陽離子交換的應(yīng)用取代CSRS-ULTRA抑制器，它用于測定銨鹽和胺類化合物時擴大線性范圍，增加靈敏度。SC-CSRS將弱電離的銨鹽和胺類化合物轉(zhuǎn)化為強電離的MSA形式，因此增大了響應(yīng)值，擴大了線性范圍。
SC-CSRS抑制器僅適用于甲烷磺酸淋洗液，不適合硫酸作淋洗液，另一個限制是僅適用于等濃度淋洗，不支持梯度操作。
9.Atlas抑制器
屬于柱膜混合型自再生電抑制器。
10.DS－Plus抑制器
(1)抑制在抑制池中，流動相和樣品離子進行酸／堿的中和反應(yīng)。
(2)電化學再生來自流動相的水進行電解，連續(xù)不斷再生。再生無需外加水或檢測器流出液。
(3)除氣抑制器的流出液在進入電導池前，通過脫氣管，脫去溶解的二氧化碳。
DS-Plus抑制器可用于碳酸體系的梯度，因為其將碳酸轉(zhuǎn)變成水降低了背景電導，使NaCO3/NaHCO3的基線漂移降至小。
11.雙化學抑制器
通常IC采用等度方式分離，以NaCO3/NaHCO3為淋洗液，難以實現(xiàn)梯度洗脫。因此IC梯度洗脫采用NaOH或KOH體系（抑制后其產(chǎn)物為H2O，背景低）。
雙化學抑制是在原來化學抑制的基礎(chǔ)上，加上一個專門的裝置用于除去淋洗液抑制產(chǎn)生的CO2，大大降低了背景電導，使NaCO3/NaHCO3梯度淋洗成為可能。
12.輔助抑制器-CRD抑制器
為了克服系統(tǒng)及樣品CO2的干擾，在抑制器后再接一個CRD，可以有效消除CO2對其它離子測定的干擾，并進一步降低背景電導，提高被測離子的靈敏度，其CO2去除效率可達到95％（1000mg/L）。
CRD僅適用于氫氧根和硼酸體系的淋洗液，在RFIC系統(tǒng)中使用，不能簡單用于碳酸鹽體系，除非多個CRD串聯(lián)使用。
CRD的原理是基于氣體在TeflonAF上的滲透特性，CO2透過膜與來自抑制器的廢液(NaOH或KOH)生成碳酸鹽，被排出淋洗液，巧妙地運用了自再生循環(huán)抑制器的特點。
14.輔助抑制器-MCS抑制器
接在抑制器后面，通過消除化學抑制后背景的CO2，使背景電導降低到1μS/cm以下。此抑制器的原理是基于氣體在TeflonAFTM上的滲透特性，通過儀器控制抑制器內(nèi)置式真空池、TeflonAFTM膜和CO2吸收劑。
連接MCS抑制器，使進樣系統(tǒng)峰大大減小，峰面積增大20~50%，進一步降低待測離子檢出限，并使背景電導顯著降低。
